انتشار بنچمارک چند هسته ای تراشه Snapdragon 820 SoC موجود در Galaxy S7

۲۰ آذر
0

طبق گزارش های قبلی می دانیم که دو نسخه از گوشی گلکسی S7 تهیه می شود که یکی دارای تراشه ۸۲۰ کوالکام است و برای امریکا و چین منتشر خواهد شد، و نسخه دوم بین المللی دارای تراشه خانگی اگسینوس ۸۸۹۰ است. تراشه ۸۱۰ کوالکام به دلیل گرمای تولیدی بیش از حد در گوشی های سری گلکسی S6 استفاده نشد و سامسونگ تنها به تراشه های اگسینوس۷۴۲۰ خود اکتفا نمود، اما ظاهرا تصمیم دارد تا با استفاده از لوله های گرمایشی از تراشه نسل بعدی کوالکام در گوشی های پرچمدار اینده خود استفاده کند.

مطلبی در صفحه Weibo منتشر شده که شایعات مربوط به تراشه این گوشی را تایید می کند. ظاهرا سامسونگ بهینه سازی هایی در مورد بهبود مدیریت دما و مصرف تراشه ۸۲۰ بر روی دستگاه اینده خود انجام خواهد داد. این نسخه از گوشی نسبت به نسخه عادی دارای فرکانس بالاتر است و جهت کنترل حرارت تولید شده از لوله های گرمایشی استفاده خواهد کرد.

در همین مطلب اطلاعاتی از نتایج تست Geekbench گوشی Galaxy S7 مجهز به تراشه Snapdragon 820 اورده شده که توانسته به امتیاز فوق العاده ۲۴۵۶ در ازمون تک هسته ای و ۵۴۲۳ در بخش چند هسته ای دست یابد. درنتیجه با چنین امتیازاتی کاربران چینی و امریکایی نباید از سرعت گوشی اینده سامسونگ نگرانی داشته باشند.

احتمالا برای ۲۱ فوریه، یک روز قبل از اغاز بکار نمایشگاه MWC 2016 در بارسلونا، پرچمدار اینده سامسونگ رونمایی خواهد شد.

Source Article from http://www.topinearth.com/Content/Fa/8369/——Snapdragon-820-SoC—Galaxy-S7

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

*

code